سید ابراهیم حسینی

مشاهده مقاله

A proposal for all optical digital multiplexer using photonic crystal-based nonlinear ring resonators

Mohammad Reza Geraili ، Seyed Ebrahim Hosseini ، Mohammad Bagher Tavakoli ، Mehrdad Shokooh-Saremi

Journal of Optical Communications

مجلات خارجی 2024 July Volume (45) No (3) Pages (459-465)

مشاهده مقاله

Electrostatically doped ballistic transition metal dichalcogenide tunnel field-effect transistors

Farzaneh Ahmadi Kakhki ، Seyed Ebrahim Hosseini

Journal of Materials Science: Materials in Electronics

مجلات خارجی 2024 April Volume (35) No (12)

مشاهده مقاله

Accurate Analytical Modeling of Drain Current of Heterojunction Tunneling Field Effect Transistor

Fatemeh Peyravi ، Seyed Ebrahim Hosseini

International Journal of Engineering,Transactions A: Basics

مجلات خارجی 2024 January Volume (37) No (7) Pages (1331-1342)

مشاهده مقاله

A new and tunable method for the NDR engineering of nanoribbon materials and devices

Farshad Yaghouti Niyat ، Malihe Zare ، Seyed Ebrahim Hosseini

Materials Science and Engineering B

مجلات خارجی 2023 October Volume (296) No (1) Pages (116630-116650)

مشاهده مقاله

Reordering and Partitioning of Distributed Quantum Circuits

Davood Dadkhah ، Mariam Zomorodi-Moghadam ، Seyed Ebrahim Hosseini ، PAWEL PLAWIAK ، XUJUAN ZHOU

IEEE Access

مجلات خارجی 2022 January Volume (10) No (1) Pages (70329-70341)

مشاهده مقاله

A novel universal tunable method for the NDR engineering of nanoribbon devices; the defect engineering of PNR devices

Farshad Yaghouti Niyat ، Seyed Ebrahim Hosseini ، Malihe Zare

Materials Science and Engineering B

مجلات خارجی 2021 December Volume (274) No (1) Pages (115465-115482)

مشاهده مقاله

A New Approach for Optimization of Distributed Quantum Circuits

Davood Dadkhah ، Mariam Zomorodi-Moghadam ، Seyed Ebrahim Hosseini

International Journal of Theoretical Physics

مجلات خارجی 2021 September Volume (60) No (9) Pages (3271-3285)

مشاهده مقاله

Armchair Graphene Nanoribbon Gate-Controllable RTD With Boron Nitride Barriers

Mohamad Hasan Ghasemian Monfared ، Seyed Ebrahim Hosseini

IEEE Transactions on Electron Devices

مجلات خارجی 2020 November Volume (67) No (11) Pages (5209-5215)

مشاهده مقاله

Impact of Hetero-Dielectric Ferroelectric Gate Stack on Analog/RF Performance of Tunnel FET

Malihe Zare ، Fatemeh Peyravi ، Seyed Ebrahim Hosseini

Journal of Electronic Materials

مجلات خارجی 2020 September Volume (49) No (9) Pages (5638-5646)

مشاهده مقاله

A novel AGNR/h-BN transistor with tunable negative differential resistance

Farshad Yaghouti Niyat ، Seyed Ebrahim Hosseini

Physica E

مجلات خارجی 2020 July Volume (121) No (1) Pages (114110-114110-6)

مشاهده مقاله

A proposal for an all optical full adder using nonlinear photonic crystal ring resonators

Seyed Ebrahim Hosseini ، Mehrdad Shokooh-Saremi

Optik

مجلات خارجی 2019 December Volume (199) No (1) Pages (163359-163367)

مشاهده مقاله

A reconfigurable multi-band, multi-bias THz absorber

Masoud Soltani Zanjani ، Iman Chaharmahali ، Sadegh Biabanifard ، Seyed Ebrahim Hosseini

Optik

مجلات خارجی 2019 August Volume (191) No (1) Pages (22-32)

مشاهده مقاله

Design and AC Modeling of a Bipolar GNR-h-BN RTD With Enhanced Tunneling Properties and High Robustness to Edge Defects

Mahdi Khoshbaten ، Seyed Ebrahim Hosseini

IEEE Transactions on Electron Devices

مجلات خارجی 2019 August Volume (66) No (8) Pages (3675-3682)

مشاهده مقاله

Application of nonlinear photonic crystal ring resonators in realizing all optical OR/NOT/AND gates

Seyed Ebrahim Hosseini ، Mohammad Bagher Tavakoli ، Mehrdad Shokooh-Saremi

Optical and Quantum Electronics

مجلات خارجی 2019 July Volume (51) No (7) Pages (228-1-228-13)

مشاهده مقاله

The effect of uniaxial and torsional strains on the density of states of single walled carbon nanotubes

Mehdi Pakkhesal ، Seyed Ebrahim Hosseini

Scientia Iranica

مجلات خارجی 2018 June Volume (25) No (3) Pages (1608-1615)

مشاهده مقاله

An Analytical Fifth-Nearest Neighbor Tight-Binding Investigation of the Effect of Mechanical Deformations on SWCNTs

Mehdi Pakkhesal ، Seyed Ebrahim Hosseini

Iranian Journal of Science and Technology-Transactions of Electrical Engineering

مجلات خارجی 2017 July Volume (41) No (2) Pages (123-130)

مشاهده مقاله

Quasi-Schottky-Barrier UTBB SOI MOSFET for Low-Power Robust SRAMs

Hamdam Ghanatian ، Seyed Ebrahim Hosseini ، ،

IEEE Transactions on Electron Devices

مجلات خارجی 2017 March Volume (64) No (4) Pages (1575-1582)

مشاهده مقاله

A silicon doped hafnium oxide ferroelectric p–n–p–n SOI tunneling field–effect transistor with steep subthreshold slope and high switching state current ratio

Saeid Marjani ، Seyed Ebrahim Hosseini ،

AIP Advances

مجلات خارجی 2016 September Volume (6) No (9) Pages (950101-950107)

مشاهده مقاله

A 3D analytical modeling of tri-gate tunneling field-effect transistors

Saeid Marjani ، Seyed Ebrahim Hosseini ،

Journal of Computational Electronics

مجلات خارجی 2016 June Volume (15) No (3) Pages (820-830)

مشاهده مقاله

Analytical modeling of subthreshold swing in undoped trigate SOI MOSFETs

Hamdam Ghanatian ، Seyed Ebrahim Hosseini

Journal of Computational Electronics

مجلات خارجی 2016 June Volume (15) No (2) Pages (508-515)

مشاهده مقاله

Radio-frequency small-signal model of hetero-gate-dielectric p-n-p-n tunneling field effect transistor including charge conservation capacitance and substrate parameters

Saeid Marjani ، Seyed Ebrahim Hosseini

Journal of Applied Physics

مجلات خارجی 2015 September Volume (118) No (9) Pages (95708-95708)

مشاهده مقاله

Analytical modeling of a p-n-i-n tunneling field effect transistor

Seyed Ebrahim Hosseini ،

Materials Science in Semiconductor Processing

مجلات خارجی 2015 January Volume (30) No (1) Pages (56-61)

مشاهده مقاله

Radio-frequency modeling of square-shaped extended source tunneling field-effect transistors

Saeid Marjani ، Seyed Ebrahim Hosseini

Superlattices and Microstructures - Micro and Nanostructures

مجلات خارجی 2014 December Volume (76) No (12) Pages (297-314)

مشاهده مقاله

A 2-D Analytical Model for Double-Gate Tunnel FETs

Mahdi Gholizadeh ، Seyed Ebrahim Hosseini

IEEE Transactions on Electron Devices

مجلات خارجی 2014 May Volume (61) No (5) Pages (1494-1500)

مشاهده مقاله

A novel AlGaN/GaN HEMT with a p-layer in the barrier

، ، Seyed Ebrahim Hosseini

Physica E

مجلات خارجی 2013 December Volume (54) No (1) Pages (24-29)

مشاهده مقاله

Analysis of Lattice Temperature Effects on a GaInP/6H-SiC Strained Quantum-Well Lasers

، ، Seyed Ebrahim Hosseini

Asian Journal of Chemistry

مجلات خارجی 2013 September Volume (25) No (9) Pages (4715-4717)

مشاهده مقاله

A novel 4H–SiC MESFET with recessed gate and channel

، ، Seyed Ebrahim Hosseini

Superlattices and Microstructures - Micro and Nanostructures

مجلات خارجی 2013 January Volume (60) No (1) Pages (516-523)

مشاهده مقاله

Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics

، ، Seyed Ebrahim Hosseini

Materials Science in Semiconductor Processing

مجلات خارجی 2012 October Volume (15) No (5) Pages (516-521)

مشاهده مقاله

Design and Optimization of A P+N+IN+ Tunnel FET

، Seyed Ebrahim Hosseini

International Journal on Technical and Physical Problems of Engineerin

مجلات خارجی 2012 September Volume (4) No (3) Pages (95-99)

مشاهده مقاله

Design and Optimization of a P+N+IN+ Tunnel FET with Si Channel and SiGe Source

، Seyed Ebrahim Hosseini

International Journal of Academic Research in Applied Science

مجلات خارجی 2012 April Volume (1) No (4) Pages (67-78)

مشاهده مقاله

An analytical gate tunneling current model for MOSFETs

، Seyed Ebrahim Hosseini

Semiconductors

مجلات خارجی 2012 March Volume (46) No (3) Pages (386-390)

مشاهده مقاله

Investigation of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side

، ، Seyed Ebrahim Hosseini ،

Semiconductor Science and Technology

مجلات خارجی 2011 November Volume (26) No (11) Pages (115001-115005)

مشاهده مقاله

Neuro-fuzzy based constraint programming

Hadi Sadoghi Yazdi ، Seyed Ebrahim Hosseini ،

Applied Mathematical Modelling

مجلات خارجی 2010 November Volume (34) No (11) Pages (3547-3559)

مشاهده مقاله

Accurate Analytical Model for Current–Voltage and Small-Signal Characteristics of AlmGa1_mN/GaN Modulation-Doped Field-Effect Transistors

، Seyed Ebrahim Hosseini

Japanese Journal of Applied Physics

مجلات خارجی 2010 October Volume (49) No (8) Pages (74302-74306)

مشاهده مقاله

Modeling Semiconductor Device by Using Neuro Space Mapping

، Seyed Ebrahim Hosseini ،

Applied Mathematical Modelling

مجلات خارجی 2010 August Volume (34) No (1) Pages (3430-3438)

مشاهده مقاله

Analytical modelling of gate tunneling current of MOSFETs based on quantum tunneling

، Seyed Ebrahim Hosseini ،

Electronics Letters

مجلات خارجی 2010 August Volume (46) No (18) Pages (60613-60613)

مشاهده مقاله

Two-Dimensional Analytical Modeling of Fully Depleted Short-Channel Dual-Gate Silico-on-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

، Seyed Ebrahim Hosseini ،

Japanese Journal of Applied Physics

مجلات خارجی 2009 November Volume (48) No (11) Pages (7247-7250)

مشاهده مقاله

NOVEL STRUCTURES FOR CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS

، Seyed Ebrahim Hosseini

International Journal of modern physics B

مجلات خارجی 2009 May Volume (23) No (19) Pages (3871-3880)

مشاهده مقاله

A New Graphene Nanoribbon based Resonant Tunneling Diodes using BN Quantum Well

Farshad Mohajer - Seyed Ebrahim Hosseini

بیست و هفتمین کنفرانس مهندسی ایران

کنفرانس های خارجی | 2019-05-15

مشاهده مقاله

Investigation of A I GaNIGaN HEMTs with step aluminum mole fraction and doping level in the barrier layer

سید محمد رضوی - Seyed Ebrahim Hosseini

بیست و پنجمین کنفرانس مهندسی برق ایران

کنفرانس های خارجی | 2017-05-02

مشاهده مقاله

Analysis of Radio Frequency and Stability Performance on Double-Gate Extended Source Tunneling Field-Effect Transistors

Saeid Marjani - Seyed Ebrahim Hosseini

بیست و سومین کنفرانس مهندسی برق ایران، 1394، دانشگاه صنعتی شریف

کنفرانس های خارجی | 2015-05-10

مشاهده مقاله

Analysis of radio frequency and stability performance on double-gate extended source tunneling field-effect transistors

Saeid Marjani - Seyed Ebrahim Hosseini

بیست و سومین کنفرانس مهندسی برق ایران

کنفرانس های خارجی | 2015-05-10

مشاهده مقاله

Analytical modeling of potential distribution in trigate SOI MOSFETs

Hamdam Ghanatian - Seyed Ebrahim Hosseini

بیست و سومین کنفرانس مهندسی برق ایران 94

کنفرانس های خارجی | 2015-05-10

مشاهده مقاله

RF Modeling of p-n-p-n Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistors

Saeid Marjani - Seyed Ebrahim Hosseini

Third Conference on Millimeter-Wave and Terahertz Technologies (MMWATT), 2014

کنفرانس های خارجی | 2014-12-30

مشاهده مقاله

A Novel Double Gate Tunnel Field Effect Transistor with 9 mV/dec Average Subthreshold Slope

Saeid Marjani - Seyed Ebrahim Hosseini

The 22nd Iranian Conference on Electrical Engineering (ICEE 2014)

کنفرانس های خارجی | 2014-05-20

مشاهده مقاله

Analysis and optimization of Tunnel FET with Band gap Engineering

M. R. Salehi - E. Abiri - Seyed Ebrahim Hosseini - B. Dorostkar

بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران

کنفرانس های خارجی | 2013-05-14

مشاهده مقاله

Design of tunneling field-effect transistor (TFET) with AlGaAs/InGaAs hetero-junction

M. R. Salehi - E. Abiri - Seyed Ebrahim Hosseini - B. Dorostkar

بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران

کنفرانس های خارجی | 2013-05-14

مشاهده مقاله

Threshold characteristics analysis of InP-based PhC VCSEL with buried tunnel junction

Saeid Marjani - Seyed Ebrahim Hosseini - رحیم فائز

بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران

کنفرانس های خارجی | 2013-05-14

مشاهده مقاله

IMPROVED SHORT CHANNEL EFFECTS IN 4H-SIC MOSFET WITH DUAL MATERIAL GATE STRUCTURE

M.A. Moradian - Seyed Ebrahim Hosseini

8th International Conference on Technical and Physical Problems of Power Engineering

کنفرانس های خارجی | 2012-09-05

مشاهده مقاله

INVESTIGATION OF A NOVEL P+N+IN+ TUNNEL FET

M.Kamali Moghaddam - Seyed Ebrahim Hosseini

8th International Conference on Technical and Physical Problems of Power Engineering

کنفرانس های خارجی | 2012-09-05

مشاهده مقاله

IMPROVED PERFORMANCE OF 4H-SIC MESFETS USING MIDDLE RECESSED STRUCTURE WITH DUAL CHANNEL LAYER

A.S.Nilsaz - Seyed Ebrahim Hosseini - H Zolfaghari

7th International Conference on Technical and Physical Problems of Power Engineering

کنفرانس های خارجی | 2011-07-07

مشاهده مقاله

A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer

M. Razavi - Ali A. Orouji - Seyed Ebrahim Hosseini

ECAI 2011 - International Conference – 4th Edition Electronics, Computers and Artificial Intelligence

کنفرانس های خارجی | 2011-06-30

مشاهده مقاله

DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate

M. Razavi - Ali A. Orouji - Seyed Ebrahim Hosseini

ECAI 2011 - International Conference – 4th Edition Electronics, Computers and Artificial Intelligence

کنفرانس های خارجی | 2011-06-30

مشاهده مقاله

Numerical Investigate of Base Doping for Minimum Base Transit Time

Abolfazl Rahmani - Omid Seryasat - Seyed Ebrahim Hosseini

2010 2nd International Conference on Software Technology and Engineering (ICSTE)

کنفرانس های خارجی | 2010-08-01

مشاهده مقاله

Reducing Short Channel Effects in Dual Gate SOI-MOSFETs with a Drain Dependent Gate Bias

M. Khani Parashloh - Seyed Ebrahim Hosseini - I. Abaspur Kazerouni

هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

کنفرانس های خارجی | 2010-05-11

مشاهده مقاله

The Effects of Random Distribution Fluctuations of Dopants on SOI-MOSFET Performance

Jafar Ahadzadeh Farhood - Seyed Ehsan Abtahi - Seyed Ebrahim Hosseini

IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits

کنفرانس های خارجی | 2009-11-25

مشاهده مقاله

Modeling SOI-MOSFET Using Neuro Space Mapping

Mahdi Gordi Armaki - Seyed Ebrahim Hosseini - Javad Haddadnia

IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits

کنفرانس های خارجی | 2009-11-25

مشاهده مقاله

بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با وارد کردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین

سید محمد رضوی - سید حمید ظهیری - سید ابراهیم حسینی

مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران

مجلات داخلی | مهر ۱۳۹۶ دوره (15) شماره (3) صفحات (217-222)

مشاهده مقاله

معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی

زینب ظهیری - سید ابراهیم حسینی - بهنام کبیریان دهکردی

مهندسی برق و الکترونیک ایران

مجلات داخلی | مهر ۱۳۹۳ دوره (11) شماره (2) صفحات (9-13)

مشاهده مقاله

بررسی اثر توزیع تصادفی ناخالصی در ترانزیستورهای بدون پیوند

سید ابراهیم حسینی - مصطفی کنعان آذر

دوازدهمین کنفرانس ماده چگال انجمن فیزیک ایران

کنفرانس های داخلی | ۱۳۹۳/۱۱/۰۸

مشاهده مقاله

بررسی اثر هال در صفحه گرافین برای نانو سنسورهای مغناطیسی در تکنولوژی CMOS

محمد حسین غلامیان - سید ابراهیم حسینی

دوازدهمین کنفرانس ماده چگال انجمن فیزیک ایران

کنفرانس های داخلی | ۱۳۹۳/۱۱/۰۸

مشاهده مقاله

ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای مشخصه جریان درین-ولتاژ گیت در ترانزیستور تونلی دو گیتی

مهدی قلی زاده - سید ابراهیم حسینی

کنفرانس فیزیک ایران

کنفرانس های داخلی | ۱۳۹۲/۰۶/۰۳

مشاهده مقاله

بررسی اثر تابع کار سه فلزی بر عملکرد FinFET با کانال احاطه شده توسط گیت

حمیده ذوالفقاری - سید ابراهیم حسینی

بیستمین کنفرانس مهندسی برق

کنفرانس های داخلی | ۱۳۹۱/۰۲/۲۷

مشاهده مقاله

تصحیح کوانتومی ادوات نیمه هادی با نگاشت فضایی عصبی

مهدی گردی ارمکی - سید ابراهیم حسینی

دهمین کنفرانس ماده چگال ایران

کنفرانس های داخلی | ۱۳۸۹/۱۱/۰۶

مشاهده مقاله

معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی

زینب ظهیری - سید ابراهیم حسینی - بهنام کبیریان دهکردی

کنفرانس فیزیک ایران 1389

کنفرانس های داخلی | ۱۳۸۹/۰۶/۰۶

مشاهده مقاله

بررسی عملکرد یک ترانزیستور ترکیبی BJT و FET لایه نازک

زهرا ابراهیمی - سید ابراهیم حسینی

کنفرانس فیزیک ایران 1389

کنفرانس های داخلی | ۱۳۸۹/۰۶/۰۶

مشاهده مقاله

محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه

ایمان عباس پور کازرونی - سید ابراهیم حسینی - محسن خانی پرشکوه

هجدهمین کنفرانس مهندسی برق

کنفرانس های داخلی | ۱۳۸۹/۰۲/۲۱

مشاهده مقاله

یک BJT جانبی لایه نازک با بهره بالا بر روی زیرپایه SOI

فرانک همایونی - سید ابراهیم حسینی

هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

کنفرانس های داخلی | ۱۳۸۹/۰۲/۲۱

مشاهده مقاله

ارائه یک ترانزیستور دوقطبی با کنترل بهره

سید ابراهیم حسینی

هجدهمین کنفرانسمهندسی برق

کنفرانس های داخلی | ۱۳۸۹/۰۲/۲۱

مشاهده مقاله

بررسی مشخصه منفی در ترانزیستور لایه نازک

سید ابراهیم حسینی - A. Ghasemi

کنفرانس فیزیک ایران

کنفرانس های داخلی | ۱۳۸۸/۰۵/۲۴

دکتر سید ابراهیم حسینی

استاد

فیلتر بر اساس:

A proposal for all optical digital multiplexer using photonic crystal-based nonlinear ring resonators

Electrostatically doped ballistic transition metal dichalcogenide tunnel field-effect transistors

Accurate Analytical Modeling of Drain Current of Heterojunction Tunneling Field Effect Transistor

A new and tunable method for the NDR engineering of nanoribbon materials and devices

Reordering and Partitioning of Distributed Quantum Circuits

A novel universal tunable method for the NDR engineering of nanoribbon devices; the defect engineering of PNR devices

A New Approach for Optimization of Distributed Quantum Circuits

Armchair Graphene Nanoribbon Gate-Controllable RTD With Boron Nitride Barriers

Impact of Hetero-Dielectric Ferroelectric Gate Stack on Analog/RF Performance of Tunnel FET

A novel AGNR/h-BN transistor with tunable negative differential resistance

A proposal for an all optical full adder using nonlinear photonic crystal ring resonators

A reconfigurable multi-band, multi-bias THz absorber

Design and AC Modeling of a Bipolar GNR-h-BN RTD With Enhanced Tunneling Properties and High Robustness to Edge Defects

Application of nonlinear photonic crystal ring resonators in realizing all optical OR/NOT/AND gates

The effect of uniaxial and torsional strains on the density of states of single walled carbon nanotubes

An Analytical Fifth-Nearest Neighbor Tight-Binding Investigation of the Effect of Mechanical Deformations on SWCNTs

Quasi-Schottky-Barrier UTBB SOI MOSFET for Low-Power Robust SRAMs

A silicon doped hafnium oxide ferroelectric p–n–p–n SOI tunneling field–effect transistor with steep subthreshold slope and high switching state current ratio

A 3D analytical modeling of tri-gate tunneling field-effect transistors

Analytical modeling of subthreshold swing in undoped trigate SOI MOSFETs

Radio-frequency small-signal model of hetero-gate-dielectric p-n-p-n tunneling field effect transistor including charge conservation capacitance and substrate parameters

Analytical modeling of a p-n-i-n tunneling field effect transistor

Radio-frequency modeling of square-shaped extended source tunneling field-effect transistors

A 2-D Analytical Model for Double-Gate Tunnel FETs

A novel AlGaN/GaN HEMT with a p-layer in the barrier

Analysis of Lattice Temperature Effects on a GaInP/6H-SiC Strained Quantum-Well Lasers

A novel 4H–SiC MESFET with recessed gate and channel

Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics

Design and Optimization of A P+N+IN+ Tunnel FET

Design and Optimization of a P+N+IN+ Tunnel FET with Si Channel and SiGe Source

An analytical gate tunneling current model for MOSFETs

Investigation of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side

Neuro-fuzzy based constraint programming

Accurate Analytical Model for Current–Voltage and Small-Signal Characteristics of AlmGa1_mN/GaN Modulation-Doped Field-Effect Transistors

Modeling Semiconductor Device by Using Neuro Space Mapping

Analytical modelling of gate tunneling current of MOSFETs based on quantum tunneling

Two-Dimensional Analytical Modeling of Fully Depleted Short-Channel Dual-Gate Silico-on-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

NOVEL STRUCTURES FOR CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS

A New Graphene Nanoribbon based Resonant Tunneling Diodes using BN Quantum Well

Investigation of A I GaNIGaN HEMTs with step aluminum mole fraction and doping level in the barrier layer

Analysis of Radio Frequency and Stability Performance on Double-Gate Extended Source Tunneling Field-Effect Transistors

Analysis of radio frequency and stability performance on double-gate extended source tunneling field-effect transistors

Analytical modeling of potential distribution in trigate SOI MOSFETs

RF Modeling of p-n-p-n Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistors

A Novel Double Gate Tunnel Field Effect Transistor with 9 mV/dec Average Subthreshold Slope

Analysis and optimization of Tunnel FET with Band gap Engineering

Design of tunneling field-effect transistor (TFET) with AlGaAs/InGaAs hetero-junction

Threshold characteristics analysis of InP-based PhC VCSEL with buried tunnel junction

IMPROVED SHORT CHANNEL EFFECTS IN 4H-SIC MOSFET WITH DUAL MATERIAL GATE STRUCTURE

INVESTIGATION OF A NOVEL P+N+IN+ TUNNEL FET

IMPROVED PERFORMANCE OF 4H-SIC MESFETS USING MIDDLE RECESSED STRUCTURE WITH DUAL CHANNEL LAYER

A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer

DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate

Numerical Investigate of Base Doping for Minimum Base Transit Time

Reducing Short Channel Effects in Dual Gate SOI-MOSFETs with a Drain Dependent Gate Bias

The Effects of Random Distribution Fluctuations of Dopants on SOI-MOSFET Performance

Modeling SOI-MOSFET Using Neuro Space Mapping

بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با وارد کردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین

معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی

بررسی اثر توزیع تصادفی ناخالصی در ترانزیستورهای بدون پیوند

بررسی اثر هال در صفحه گرافین برای نانو سنسورهای مغناطیسی در تکنولوژی CMOS

ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای مشخصه جریان درین-ولتاژ گیت در ترانزیستور تونلی دو گیتی

بررسی اثر تابع کار سه فلزی بر عملکرد FinFET با کانال احاطه شده توسط گیت

تصحیح کوانتومی ادوات نیمه هادی با نگاشت فضایی عصبی

معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی

بررسی عملکرد یک ترانزیستور ترکیبی BJT و FET لایه نازک

محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه

یک BJT جانبی لایه نازک با بهره بالا بر روی زیرپایه SOI

ارائه یک ترانزیستور دوقطبی با کنترل بهره

بررسی مشخصه منفی در ترانزیستور لایه نازک